RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Confronto
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
32
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
32
Velocità di lettura, GB/s
10.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1780
2974
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link