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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
32
Por volta de 9% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1780
2974
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB Comparações de RAM
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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