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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.1
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
73
周辺 -97% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.2
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
37
読み出し速度、GB/s
3,510.5
15.1
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
12.2
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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