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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 15.1
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    37 left arrow 73
    En -97% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.2 left arrow 1,423.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 5300
    En 4.02 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    73 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,510.5 left arrow 15.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,423.3 left arrow 12.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    476 left arrow 2873

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