RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965657-011.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 11.6
    テスト平均値
Kingston 9965657-011.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 69
    周辺 -109% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 1,441.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    3,325.1 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,441.2 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    525 left arrow 2102

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
メモリRAM
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
メモリRAM