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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9965657-011.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
3,325.1
11.6
写入速度,GB/s
1,441.2
9.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2102
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston KF073F-ELD 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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