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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
総合得点
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
総合得点
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
50
周辺 -28% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
10.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
50
39
読み出し速度、GB/s
15.3
16.1
書き込み速度、GB/秒
10.9
11.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
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2782
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