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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
60
周辺 -82% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
11.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
33
読み出し速度、GB/s
15.3
16.1
書き込み速度、GB/秒
11.0
13.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2359
2987
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAMの比較
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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