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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Especificações
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Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
60
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
11.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
13.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2359
2987
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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