RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 60
    周辺 -76% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 11.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.0 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2359 left arrow 2803

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAMの比較

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
メモリRAM