RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB против SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
60
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2359
2803
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link