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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB

総合得点
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

総合得点
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 13.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 7.2
    テスト平均値
Kingston K6VDX7-HYD 8GB 考慮すべき理由
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 33
    周辺 -10% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.0 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2987 left arrow 2154

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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