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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比較する
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
総合得点
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
総合得点
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
61
周辺 61% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
14.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
61
読み出し速度、GB/s
14.9
17.6
書き込み速度、GB/秒
10.6
8.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2196
2113
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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