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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

総合得点
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

総合得点
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 61
    周辺 61% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
    周辺 1.13% 高帯域
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 14.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 61
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.6 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2196 left arrow 2113

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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