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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
61
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
61
读取速度,GB/s
14.9
17.6
写入速度,GB/s
10.6
8.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2113
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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