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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
38
周辺 -15% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
15.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
12.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
33
読み出し速度、GB/s
15.5
17.6
書き込み速度、GB/秒
12.0
12.8
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
3166
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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