RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3166
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link