RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3178
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link