RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3178
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link