RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3178
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link