RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3178
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link