RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 38
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.0 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 17.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 3697

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
メモリRAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
メモリRAM