Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 38

Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.5 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.0 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 34
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 17.5
Скорость записи, Гб/сек

12.0 17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 3697

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB

модули RAM

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

Kingston 9905700-047.A00G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

модули RAM