RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2989
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link