Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

総合得点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

38 52

周辺 27% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.0 10.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 17000

周辺 1.51% 高帯域

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

20.5 15.5

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 52
読み出し速度、GB/s

15.5 20.5
書き込み速度、GB/秒

12.0 10.1
メモリ帯域幅、mbps

25600 17000

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2283 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB

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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

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Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB

Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB

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Corsair VS1GB800D2 1GB

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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

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