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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
52
左右 27% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.5
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
52
读取速度,GB/s
15.5
20.5
写入速度,GB/s
12.0
10.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2472
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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