RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 45
    周辺 16% 低遅延
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 3102

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
メモリRAM