RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
45
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3102
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link