Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

総合得点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15.5 14

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.0 9.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 21300

周辺 1.2% 高帯域

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

37 38

周辺 -3% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 37
読み出し速度、GB/s

15.5 14.0
書き込み速度、GB/秒

12.0 9.7
メモリ帯域幅、mbps

25600 21300

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2283 2277

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB

V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB