RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2277
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link