RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3625
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link