RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 43
    周辺 12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 12.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 2501

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Jinyu 16GB
Jinyu 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
メモリRAM