RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 43
    Около 12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.5 left arrow 12.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.0 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 17000
    Около 1.51% выше полоса пропускания
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 43
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.5 left arrow 12.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 9.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2283 left arrow 2501

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
модули RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
модули RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
модули RAM
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
модули RAM
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
модули RAM