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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比較する
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
47
周辺 19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
47
読み出し速度、GB/s
15.5
10.0
書き込み速度、GB/秒
12.0
7.5
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
2308
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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