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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
47
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
47
Velocità di lettura, GB/s
15.5
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2308
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mushkin 996902 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
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