RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
96
Intorno -146% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.7
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
1,336.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
96
39
Velocità di lettura, GB/s
2,725.2
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,336.0
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
438
1768
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link