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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Confronto
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
26
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
9.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
18
26
Velocità di lettura, GB/s
17.7
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2926
2563
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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