Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

-->

Средняя оценка

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 96

Около -146% меньшая задержка
Выше скорость чтения

7.7 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

6.8 1,336.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

96 39
Скорость чтения, Гб/сек

2,725.2 7.7
Скорость записи, Гб/сек

1,336.0 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

438 1768

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

Kingston KHX16 4GB

Kingston KHX16 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

модули RAM