RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
19.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
16.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3562
3234
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link