RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 30
    周辺 7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.1 left arrow 17
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 13.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    19.1 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    16.2 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3562 left arrow 3234

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAMの比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
メモリRAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
メモリRAM