RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3562
3234
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link