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Samsung M471B1G73BH0-YK0K0 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
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Samsung M471B1G73BH0-YK0K0 8GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
総合得点
Samsung M471B1G73BH0-YK0K0 8GB
総合得点
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73BH0-YK0K0 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
39
周辺 26% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.3
10.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.4
5.2
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73BH0-YK0K0 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
39
読み出し速度、GB/s
10.3
12.3
書き込み速度、GB/秒
5.2
8.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1718
2019
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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