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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

総合得点
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

総合得点
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 46
    周辺 -31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    12.2 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2072 left arrow 2654

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