RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2072
2654
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link