RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2596
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link