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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Inmos + 256MB
総合得点
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
総合得点
Inmos + 256MB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
11.8
11.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
47
周辺 -57% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
16800
12800
周辺 1.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
30
読み出し速度、GB/s
11.8
11.5
書き込み速度、GB/秒
8.0
9.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
16800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2061
2318
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAMの比較
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Inmos + 256MB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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