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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.8
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
47
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
12800
Por volta de 1.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
16800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2318
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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