RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 52
    周辺 10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.6
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 52
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 10.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2061 left arrow 2384

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
メモリRAM