RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
52
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2384
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link