RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
バグを報告する
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 47
    周辺 -74% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2061 left arrow 2148

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
メモリRAM