RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

総合得点
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB 考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 57
    周辺 19% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 10.3
    テスト平均値
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB 考慮すべき理由
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 57
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.6 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2717 left arrow 2276

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB RAMの比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
メモリRAM