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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
総合得点
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
総合得点
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
相違点
仕様
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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考慮すべき理由
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
47
周辺 -104% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
11.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.4
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
23
読み出し速度、GB/s
11.8
16.4
書き込み速度、GB/秒
8.0
14.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2061
2978
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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